MUR20060CT
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MUR20060CT |
---|---|
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
80+ | $101.6625 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 50 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 110 ns |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 100A |
Grundproduktnummer | MUR20060 |
MUR20060CT Einzelheiten PDF [English] | MUR20060CT PDF - EN.pdf |
DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
MUR20100 ON
Interface
Interface
MUR20120CT GY
DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
SIRECTI TO-220
MUR20200CT ON
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
IGBT Modules
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
MUR2020 ON
Interface
IGBT Modules
Interface
IGBT Modules
DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
IGBT Modules
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MUR20060CTGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|